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Study of Strained-SiGe Channel P-MOSFET Using Silvaco TCAD: Impact of Channel Thickness

已取消 1 由 9870 发布于 2023/12/26 11:01:50
DOI:10.4028/p-3a337l
作者:Siti NorFarah Nadia Mohd Salleh, A. F. Abd Rahim, N. S. Mohd Razali, R. Radzali, A. Mahmood, I. H. Hamzah
文献类型:期刊论文
补充材料:只需要正文
文献链接:https://doi.org/10.4028/p-3a337l
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