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Ab-Initio Quantum Transport Simulation of Sub-1 nm Gate Length Monolayer and Bilayer WSe2 Transistors: Implications for Ultra-Scaled CMOS Technology
已完结
10
由 杨良慧 发布于 2025/12/7 10:32:18
DOI:10.1021/acsanm.4c06561
作者:Xingyue Yang,?Shibo Fang,?Ying Li,?Zongmeng Yang,?Qiuhui Li,?Min Wang and Jing Lu*,?
文献类型:期刊论文
补充材料:
只需要正文
American Chemical Society (ACS)
Abstract:
Ultrascaled sizes and symmetrical n- and p-type performance are the pursuit of next-generation field effect transistors (FETs). Although sub-1 nm gate length MoS2 n-FETs have been experiment
应助信息
13小时前
春风吹
fa148630d31511f085db34735aa3bc31.pdf
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13小时前
Book学术机器人
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13小时前
杨良慧
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Naturally Fractured Carbonate Reservoir Characterization: A Case Study of a Mature High-Pour Point Oil Field in Hungary
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Nature
Light detection and ranging of natural systems
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