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Effect of drift layer doping and NiO parameters in achieving 8.9?kV breakdown in 100?μm diameter and 4?kV/4?A in 1?mm diameter NiO/β-Ga2O3 rectifiers

已完结 10 由 qfs 发布于 2026/1/12 15:28:29
DOI:10.1116/6.0002722
作者:Jian-Sian Li, Chao-Ching Chiang, Xinyi Xia, Hsiao-Hsuan Wan, F. Ren, S. Pearton
文献类型:期刊论文
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vivivivi
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