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Partially Oxidized TaS2 as a High-Quality Gate Stack for Two-Dimensional Transistors

已完结 10 由 w 发布于 2026/1/9 23:30:34
DOI:10.1021/acs.nanolett.5c05052
作者:Kejie Guan, , , Hao Dai, , , Fuqin Sun, , , Xiaoshuang Gou, , , Lin Liu, , , Yingyi Wang, , , Weifan Zhou, , , Yang Xia, , ,&
文献类型:期刊论文
补充材料:只需要正文
American Chemical Society (ACS)American Chemical Society (ACS)
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