High-performance molybdenum disulfide transistors with channel and contact lengths below 35?nm
已完结10由 Jhcuio 发布于 2026/1/8 11:25:29
DOI:10.1038/s41928-025-01499-8
作者:Najam U Sakib, Chen Chen, Lei Ding, Yang Yang, Joan M. Redwing, Saptarshi Das
文献类型:期刊论文
补充材料:只需要正文