首页 > 文献互助> 求助详情

Simulation of Threshold Voltage Instability of 4H-SiC MOSFET

已取消 20 由 烟霞客 发布于 2026/1/4 3:49:44
DOI:10.4028/p-03lZAF
作者:Si Jie Fan,?Mingmin Huang,?Caiping Wan,?Min Gong,?H. Xu
文献类型:期刊论文
补充材料:只需要正文
管理员驳回:超时未应助,系统关闭。如求助信息不完整(标题、DOI、原文链接),可以补充后重新发布求助。
其它数据库其它数据库
应助信息
2026-01-04
Book学术机器人Book学术机器人
2026/1/4 3:49:44 未找到该文献,机器人已退出,请等待人工下载
2026/1/4 3:49:44 Book学术AI机器人收到请求,开始寻找文献
2026/1/4 3:49:44 已向机器人发送请求
2026-01-04
烟霞客烟霞客 发布求助
求助榜
数据汇报
今日求助成功率82.25%
10分钟内应助率57%
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
×
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:604180095
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1