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3.3 kV-class NiO/β-Ga2O3 heterojunction diode and its off-state leakage mechanism

待确认 10 由 qfs 发布于 2026/3/28 19:52:30
DOI:10.1063/5.0211183
作者:Jiangbin Wan, Hengyu Wang, Chi Zhang, Yanjun Li, Ce Wang, Haoyuan Cheng, Junze Li, Na Ren, Qing Guo, Kuang Sheng
文献类型:期刊论文
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American Institute of Physics (AIP)American Institute of Physics (AIP)
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