Facilitating flat-band voltage shifts of 4H-SiC MOS capacitors by HfO2/SiO2 laminated stacks with multiple interfacial dipole layers
已完结10由 jiusi 发布于 2026/8/31 14:53:16
DOI:10.1016/j.jallcom.2026.187557
作者:Xinwei Wang ,?Zhonglin Sun ,?Shijun Lin ,?Hongxiang Bi ,?Ze Yang ,?Shuaibo Zhou ,?Weifeng Yang
文献类型:期刊论文
补充材料:只需要正文