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Improvement of P-Type Contact in WSe2 Field-Effect Transistors via Defect Engineering

已完结 20 由 111 发布于 2026/9/19 9:13:37
DOI:10.1021/acs.nanolett.4c05970
作者:Heng Zhang, Jialei Miao, Cheng Zhang, Xinlong Zeng, Tianjiao Zhang, Tingting Chen, Junjie Wu, Kaige Gao, Wei Xu, Xiaowei Zhang, Yuda Zhao
文献类型:期刊论文
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American Chemical Society (ACS)American Chemical Society (ACS)
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