Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129)

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Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) material growth and application to InP-based electronic devices

Pub Date : 1998-05-11 DOI: 10.1109/ICIPRM.1998.712558 D. Pavlidis

High-temperature characteristics of 1.3-/spl mu/m SSC-ASM-PBH LDs with selectively grown multiple-stripe recombination layers

Pub Date : 1998-05-11 DOI: 10.1109/ICIPRM.1998.712751 Y. Furushima, H. Yamazaki, K. Kudo, Y. Sakata, Y. Okunuki, Y. Sasaki, T. Sasaki

All-solid-source MBE growth of AlGaInAsP-based optoelectronic devices

Pub Date : 1998-05-11 DOI: 10.1109/ICIPRM.1998.712555 M. Pessa, M. Toivonen, P. Savolainen, J. Kongas, R. Murison, T. Panarello, R. Nabiev, M. Jansen, P. Corvini

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