Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator. IWGI 2001 (IEEE Cat. No.01EX537)

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Intrinsic limitations on performance and reliability of i) Si oxynitride and ii) high-k T-M oxides, and silicate and aluminate alloy gate dielectrics

Pub Date : 2001-11-01 DOI: 10.1109/IWGI.2001.967544 G. Lucovsky

Influence of SiO2/Si(111) interface structure on oxidation rate

Pub Date : 2001-11-01 DOI: 10.1109/IWGI.2001.967566 K. Takahashi, H. Nohira, I. Nakamura, M. Seman, T. Ohmi, T. Hattori

ESR studies of defects in FN-stressed SiO2 thin films

Pub Date : 2001-11-01 DOI: 10.1109/IWGI.2001.967564 S. Yamasaki, J. Isoya, N. Mizuochi, M. Ushiyama, Y. Kamigaki, N. Morishita, H. Minemura, K. Yamabe

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