Research|二维材料新进展—单分子半滑移铁电性：浙江理工大学和华中科技大学研究团队合作新进展

浙江理工大学和华中科技大学的研究团队在二维材料领域取得了重要进展，提出了一种名为“半滑移铁电性”的新机制。该机制允许在二维材料的双层中插入的金属卟啉分子独立存储1比特数据，并实现高密度的数据存储，存储密度上限从40 GB/in²提高到106 GB/in²。此外，研究还发现了一种新的多铁耦合类型，这种耦合在一定条件下可以实现铁电与磁性的耦合，为数据存储和高效“电写+磁读”提供了新的可能性。研究背景显示，尽管滑移铁电机制在二维材料中已得到实验证实，但其应用受到低极化、特定堆叠方式限制和低密度数据存储问题的制约。研究团队通过在不同堆叠构型的MoS2双层中插入单金属卟啉分子TiP，成功实现了垂直极化和半滑移铁电性，解决了上述问题。未来，该研究有望推动滑移铁电性在实际应用中的进一步发展，特别是在高极化和超高数据存储密度方面。