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复旦大学梁子骐/上硅所陈立东最新AEL：基于锡基钙钛矿的新型光增强热电器件

研之成理 2024-11-25 08:00
文章摘要
本文介绍了复旦大学和上海硅酸盐研究所的研究团队开发的一种基于锡基钙钛矿的新型光增强热电器件。该研究通过在光照端沉积电子传输层，引入与温度梯度垂直的额外电场，实现了锡基钙钛矿中空穴和电子的分离输运，从而显著提高了热电功率因子（PF）和热电优值（zT）。研究结果表明，在室内光照下，FASnI3薄膜的PF提高了28倍，达到342.21 μW m−1 K−2，zT值达到0.27。该技术有望解决金属卤化物钙钛矿在能源转换中的瓶颈问题。
复旦大学梁子骐/上硅所陈立东最新AEL：基于锡基钙钛矿的新型光增强热电器件
查看文献： Directional Regulation of Photogenerated Carriers in Tin Halide Perovskites for Enhanced Thermoelectrics
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