Light Adv. Manuf. | 光束整形新方法：下一代硅芯片垂直互连技术

随着半导体技术的发展，高性能电子和光电子器件的3D集成成为一个关键挑战。硅通孔(TSV)作为实现这一目标的重要元素，其制造技术备受关注。法国国家科学研究中心和艾克斯-马赛大学联合实验室的研究团队提出了一种基于轴棱锥和双透镜聚焦的激光直写技术，成功在晶体硅中创建了纵横比超过700的结构，远超过之前的技术水平。这一技术为制造复杂三维结构提供了新的可能性，并为硅芯片中的超快速垂直通信通道提供了新的解决方案。研究结果发表在《Light: Advanced Manufacturing》上，展示了激光材料加工中的新进展，为下一代高性能、高集成度的硅芯片制造铺平了道路。