研究前沿：零磁场的电阻量子化-计量学 | Nature Electronics

本文报道了在基于磁性拓扑绝缘体V掺杂 (Bi,Sb)2Te3器件上，量子反常霍尔效应区域中，霍尔电阻的量子化测量。研究结果显示，当外推到零测量电流时，霍尔电阻与零外磁场下Rk的相对偏差为（4.4±8.7）nΩΩ−1，当外推到零纵向电阻率时，相对偏差为（8.6±6.7）nΩΩ−1。这种精度和准确度达到了相关计量应用所需的阈值，并建立了零外部磁场的电阻量子标准。研究由德国联邦物理技术研究院（PTB）的D. K. Patel和H. Scherer等人在Nature Electronics上发表。