研究前沿：原子制造ALD-二硫化钨WS₂ | Nature Electronics

背景：随着集成电路微缩，后端制程中铜导线缩小，传统钽/氮化钽阻挡层在厚度减小时性能受限，导致电阻增加。研究目的：开发一种热原子层沉积工艺，在BEOL兼容温度下生长晶态二硫化钨薄膜，以解决铜扩散和润湿性问题。结论：单层二硫化钨有效阻止铜扩散，改善铜润湿性，降低电阻率，为3纳米及以下技术节点互连微缩提供了可行技术路径。