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Npj Comput. Mater.: 存储器的电写磁读:有赖二维磁电耦合异质结构?
知社学术圈
2024-12-12 11:29
文章摘要
本文探讨了二维铁电In2Se3和铁磁MnI₃材料构建的In₂Se₃/MnI₃异质结的磁电耦合特性。研究通过第一性原理计算方法,分析了异质结的结构稳定性、界面接触特性及其对磁电耦合效应的影响。研究发现,In₂Se₃/MnI₃异质结具有良好的稳定性和可行性,且通过调控铁电层In2Se3的极化方向,可以实现界面磁性的调控。此外,研究还探讨了层间距离对异质结磁电耦合效应的影响,为设计下一代自旋电子学和非易失性存储器件提供了新的思路。
查看文献:
Tunable Schottky barriers and magnetoelectric coupling driven by ferroelectric polarization reversal of MnI3/In2Se3 multiferroic heterostructures
查看期刊:
npj Computational Materials
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