斯坦福大学，Science！

本研究由斯坦福大学Eric Po教授课题组与亚洲大学Il-Kwon Oh教授合作，发表在《Science》上，探讨了无定形磷化铌（NbP）半金属薄膜在纳米尺度下的电导特性。研究发现，与常规金属不同，NbP薄膜在厚度减小至5纳米以下时，其电阻率显著降低，尤其是在1.5纳米厚的薄膜中，电阻率仅为34微欧·厘米，远低于相同厚度的常规金属。这种异常的电导行为归因于表面通道导电和高表面载流子密度。研究结果表明，NbP薄膜在纳米电子学中具有潜在的应用价值，特别是在超薄低电阻率线材的开发方面。此外，研究还通过温度依赖性输运特性和霍尔效应测量，进一步验证了NbP薄膜中载流子密度与迁移率的变化，为未来高密度电子器件的设计提供了新的理论支持。