硒取代策略助力导电配位聚合物性能突破

本文介绍了中国科学院化学研究所等团队合作开发的一种基于硒取代策略的导电共轭配位聚合物（c-CP），该材料在提升迁移率、调控能带和提高电化学储能性能方面取得了重要突破。研究团队通过“4+2”设计策略合成了四硒基氢醌（TSHQ）配体，并开发了高迁移率的Ag4TSHQ配位聚合物及能带可调的混合配体Ag4TXHQ材料家族。实验结果显示，Ag4TSHQ表现出优异的电学性能和电化学储能性能，其室温电导率高达1.6 S/m，光学带隙仅为0.6 eV，且在电化学储能方面展现出显著的比电容提升和循环稳定性。该研究为开发新型高性能光电与储能材料开辟了新方向。