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基于面内铁电极化的二维单层WS₂/PZT异质结的人工突触器件

计算材料学 2025-02-03 10:12
文章摘要
本文探讨了基于二维单层WS₂和铁电PZT薄膜异质结构的新型存储器和人工突触器件。研究背景源于后摩尔时代对数据处理能力和存储需求的增长，传统冯·诺依曼架构面临的内存和功耗挑战。研究目的是通过结合二维材料的原子薄层特性和铁电材料的可切换自发极化特性，开发出性能更优的器件。研究结果表明，铁电体的剩余极化电场能够有效静电掺杂二维过渡金属二硫化物，通过面内铁电极化调控其光致发光和电导特性，实现了稳定高效的阻态切换以及突触功能。结论指出，这种新型器件不仅为理解二维材料与铁电异质集成器件的工作机制提供了新的视角，也为未来的研究指明了方向。
基于面内铁电极化的二维单层WS₂/PZT异质结的人工突触器件
查看文献： In-Plane Polarization-Triggered WS2-Ferroelectric Heterostructured Synaptic Devices
查看期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
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