二维滑移铁电存储与突触器件

本文介绍了二维滑移铁电材料的研究进展及其在非易失存储和人工智能领域的应用。滑移铁电是一种通过层间滑移实现铁电极化切换的新机制，已在多种材料中得到实验验证。然而，其应用面临材料制备和功能器件构建两大挑战。中国科学院物理研究所张广宇研究员课题组通过“晶格传质-界面外延”新方法，成功制备了层数及堆垛结构可控的滑移铁电材料，并基于此开发了高性能的非易失性存储器件和柔性衬底上的铁电器件。这些器件在存储窗口、开关比、耐久性等方面表现出色，并在图片识别任务中实现了高准确率，验证了滑移铁电在非易失存储和人工智能领域的应用潜力。