集美大学许望颖Advanced Electronic Materials：水溶液法超薄二维氧化物薄膜晶体管

本文介绍了集美大学许望颖团队在二维氧化物半导体领域的最新研究成果。研究背景指出，二维氧化物半导体在多功能、超柔性、高透明度及高集成度的晶体管器件中具有重要应用，但其纳米级厚度下的性能下降及高成本制造技术限制了其发展。研究内容中，团队开发了一种通过水溶液法制备的二维C轴取向结晶In-S-O氧化物半导体沟道材料，该材料在Si/SiO2基底上表现出高迁移率、高开关电流比和良好的偏压稳定性。研究结论表明，这种优异的性能得益于高度c轴取向的晶体结构和原子级平滑的表面。此外，研究还展示了基于全水溶液工艺的准二维In-S-O/ZrO2超低功耗晶体管器件，展示了低成本水溶液法合成高性能二维金属氧化物半导体的潜力。