铁电最新Nature!!!

本研究通过原子分辨率扫描透射电子显微镜（STEM）结合第一性原理计算，揭示了ScGaN中电场诱导畴壁的原子排列规律与电学行为，并建立了普适性的极化电荷补偿理论模型。研究发现垂直铁电畴壁（VDWs）呈现八重环/四重环周期性排列，具有电中性本质；水平铁电畴壁（HDWs）则呈现“翘曲二维六方结构”，存在未饱和配位的金属原子悬挂键，并提出了极化电荷与未成键价电子之间的协同补偿机制。此外，研究证实HDWs可作为可控导电通道，展现出优异的非易失性与可编程性，为开发基于畴壁的铁电存储器、逻辑门及神经形态器件奠定了实验基础。