港科大发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展！

香港科技大学陈敬教授课题组在第70届国际电子器件大会上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓和碳化硅的最新研究进展。研究包括高速且具备优越开关速度控制能力的3D堆叠式GaN/SiC cascode功率器件，该器件通过将SiC MOSFET的低迁移率MOS沟道替换为基于GaN的2DEG沟道，大幅提升了沟道迁移率。此外，课题组还提出了全GaN基半导体栅增强型HEMT，实现了栅极过压保护和光-电同步驱动。最后，研究团队开发了基于氮化镓的可重构晶体管，用于储备池计算系统，实现了在不同时间尺度上的混沌时间序列预测。这些研究成果展示了宽禁带半导体在功率器件技术和新型器件技术中的潜力。