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第一性原理与DFT驱动下的区域选择性原子层沉积解析：多尺度建模方法、技术瓶颈与跨学科应用前景

计算材料学 2025-04-22 12:02
文章摘要
本文探讨了第一性原理与密度泛函理论（DFT）在区域选择性原子层沉积（AS-ALD）中的应用。研究背景指出，随着微电子器件尺寸逼近物理极限，传统制造工艺面临挑战，AS-ALD因其原子级厚度控制能力成为关键工艺。研究目的是通过多尺度建模方法（如DFT、分子动力学和蒙特卡洛模拟）解析AS-ALD的选择性机制，优化工艺参数。结论表明，计算化学方法在揭示表面反应机理、指导抑制剂设计和工艺优化方面发挥了重要作用，并为3纳米以下节点的微电子制造提供了关键解决方案。
第一性原理与DFT驱动下的区域选择性原子层沉积解析：多尺度建模方法、技术瓶颈与跨学科应用前景
查看文献： Computational Ab Initio Approaches for Area-Selective Atomic Layer Deposition: Methods, Status, and Perspectives
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