APL | 湖南科技大学物理与电子科学学院赵宇清团队：单层卤化物钙钛矿Cs₃Bi₂I₉界面的弱费米钉扎和P型欧姆接触设计

本研究探讨了金属卤化物钙钛矿与电极之间的接触问题，特别是强费米钉扎效应对电子器件性能的限制。通过范德华设计策略，研究了低维钙钛矿Cs3Bi2I9与金属1T/H-XA2（X=V，Nb，Ta；A=S，Se）之间的电接触。研究发现，所有1T/H-XA2与Cs3Bi2I9界面都属于p型肖特基接触，且可以通过外部电场调控实现从肖特基到欧姆接触的转变。此外，界面具有抑制费米钉扎效应的大钉扎因子，接近理想的肖特基-莫特极限。研究还计算了各种二维金属与Cs3Bi2I9接触的输运性质，并利用蒙特卡洛方法计算了磁性系统的居里温度（Tc），发现1H-VS2/Cs3Bi2I9的Tc显著提高，超过了室温。这些结果为设计高效的Cs3Bi2I9基电子器件提供了理论指导。