(纯计算)印度理工学院Phys. Rev. Mater.: 二维磁性MXenes中反常谷霍尔效应向准半谷金属态的可逆切换

本文研究了二维磁性MXenes材料Cr2CSF的谷依赖性，通过第一性原理计算发现该材料具有1.16 meV的大磁各向异性能值，表现出本征的面外磁化，导致导带中27.1 meV的自发谷极化。这种自发谷极化在面内电场和电子掺杂下可观察到反常谷霍尔效应，实现载流子分离。研究还发现，通过施加3.5%的单轴应变，材料可转变为准半谷金属相，在面内电场作用下实现空穴和电子载流子的分离。这些特性表明Cr2CSF在谷电子学中具有广阔的应用前景。