研究前沿：伊辛芯片-组合优化 | Nature Electronics
今日新材料
2025-06-18 21:25
文章摘要
本研究报道了一种基于耦合振荡器的全连接伊辛芯片（COBI），采用65纳米CMOS技术制造，能够高效解决组合优化问题。该芯片通过逻辑耦合电路实现59个自旋单元全互连，功耗仅10mW，室温下运行频率达5.36MHz。实验结果表明，COBI在最大独立集（MIS）和3SAT问题上，求解速度比经典算法快2倍，能效超过量子退火机5个数量级，且能处理量子设备无法映射的稠密优化问题。该技术的突破性在于二次谐波注入锁定（SHIL）技术和零静态功耗耦合器设计，为边缘智能设备提供了实用化NP难题硬件解决方案，展示了经典半导体材料在非冯·诺依曼计算架构中的潜力。
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