PbTiO₃/LaAlO₃体系中首次发现常规180°铁电畴壁与反相畴界互耦现象 | 进展

本文介绍了中国科学院物理研究所和北京科技大学在PbTiO₃/LaAlO₃体系中首次发现常规180°铁电畴壁与反相畴界（APB）互耦现象的研究。背景方面，铁电畴壁随机存储器为解决硅基存储技术遇到的“存储墙”问题提供了可行方案，但常规铁电畴壁存在高能界面、传导电流和开关比较低等问题。研究目的是通过发现互耦现象，解决现有铁电畴壁存储器件的性能限制。结论表明，互耦体系具有优异的抗干扰性能，可通过APB与180°铁电畴壁的互耦与解耦实现极化翻转，并在高密度、低能耗、高耐久性及快速读写的非易失性铁电存储器件中具有应用前景。