浙大《Science》：半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应

本文介绍了浙江大学朱铁军教授团队在半赫斯勒窄带半导体材料压电效应方面的突破性研究。背景方面，传统压电材料多为宽禁带陶瓷或单晶，而窄禁带半导体材料由于高电导率，其压电效应研究较少。研究目的是通过高质量单晶生长，首次实验验证半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应。结论显示，团队成功制备了TiNiSn、ZrNiSn、TiCoSb三种材料的[111]切型晶片，并测得其剪切压电应变系数，其中ZrNiSn和TiCoSb的压电系数较高。此外，基于TiCoSb晶片的压电器件展现出稳定的电压响应和热稳定性，表明这类材料在压电领域具有潜在应用前景。