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西安电子科大周益春团队《AFM》：氧化铪基多值存储印记取得重要进展！

材料科学与工程 2025-07-03 09:00

文章摘要

本文介绍了西安电子科技大学周益春教授团队在氧化铪基多值存储印记效应研究中的重要进展。随着信息技术的发展，对非易失性存储器提出了大容量、高速、低功耗的需求，多值存储技术成为提升存储容量的重要方向。氧化铪基铁电薄膜因其优异的性能有望成为下一代存储技术，但其印记效应问题尚未被揭示。研究团队发现，在多值HfAlOx铁电电容中，中间极化状态受印记效应影响容易出错，而饱和极化状态则不受影响。通过分析内建电场和带电缺陷的变化，团队提出了失效模型，并通过相场模拟验证。此外，团队设计了一种预编程方法，成功抵消了印记效应的影响，为发展可靠的多值HfO2基铁电存储器提供了新途径。

西安电子科大周益春团队《AFM》：氧化铪基多值存储印记取得重要进展！

查看文献： The Imprint Failure and Suppression of the Multi-Level Memory in HfAlOx Ferroelectric Capacitor
查看期刊：Advanced Functional Materials

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