西安电子科大周益春团队《AFM》：氧化铪基多值存储印记取得重要进展！
材料科学与工程
2025-07-03 09:00
文章摘要
本文介绍了西安电子科技大学周益春教授团队在氧化铪基多值存储印记效应研究中的重要进展。随着信息技术的发展，对非易失性存储器提出了大容量、高速、低功耗的需求，多值存储技术成为提升存储容量的重要方向。氧化铪基铁电薄膜因其优异的性能有望成为下一代存储技术，但其印记效应问题尚未被揭示。研究团队发现，在多值HfAlOx铁电电容中，中间极化状态受印记效应影响容易出错，而饱和极化状态则不受影响。通过分析内建电场和带电缺陷的变化，团队提出了失效模型，并通过相场模拟验证。此外，团队设计了一种预编程方法，成功抵消了印记效应的影响，为发展可靠的多值HfO2基铁电存储器提供了新途径。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿，本站转载出于非商业性的教育和科研之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题，请作者速来电或来函联系。
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
