南大-苏州实验室联合团队：突破晶圆级二维半导体堆垛调控技术 | Nature Materials

本文报道了南京大学王欣然教授课题组联合苏州实验室、东南大学等单位在《Nature Materials》上发表的研究成果，成功实现了晶圆级菱方相（3R相）二硫化钼（MoS₂）的同质外延生长，并展示了其在铁电器件及存储应用中的潜力。研究背景基于二维半导体因其独特的物理特性在后硅时代的重要性，研究目的是突破二维材料的堆垛控制难题。通过同质外延策略和人工智能图像识别技术，团队实现了纯3R相的多层MoS₂晶圆制备，并通过理论计算和实验验证揭示了缺陷促进选择性形核的生长机制。研究结论表明，3R-MoS₂具有滑移铁电性，可用于构建超薄铁电晶体管阵列，展现出优异的非易失存储性能，为未来高密度、低功耗存储器件的三维异质集成提供了可能。