中国科学技术大学李晓光团队：氧化铪薄膜 | Transactions of Materials Research

本文介绍了中国科学技术大学李晓光团队在Transactions of Materials Research上发表的研究成果，主要探讨了氧化铪（HfO2）薄膜在动态随机存取存储器（DRAM）和铁电随机存取存储器（FeRAM）中的应用。研究通过控制Hf/Zr比例，并在Al2O3和TiO2层中插层，成功制备出具有低漏电流、高介电常数和良好铁电性能的Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜。该薄膜在多次循环后仍能保持良好的铁电性能，适用于3D HZO柱状电容器的制备，为DRAM和FeRAM的应用提供了新的材料解决方案。