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研究透视：负电容技术-可兼得低漏电/高导通-铁电材料 | Science

今日新材料 2025-07-12 01:09
文章摘要
本文研究了基于负电容技术的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）性能优化问题。传统肖特基栅极虽然能最大化感应电荷量，但存在高漏电流问题，而常规介电层虽能降低漏电流却会牺牲导通电流。加州伯克利分校的研究团队创新性地采用HfO₂-ZrO₂（HZO）双层铁电材料作为栅极电介质，通过其负电容效应，首次实现了导通电流提升30%的同时漏电流降低超过一个数量级的突破。这项研究突破了传统肖特基GaN晶体管的性能限制，为二维电子气晶体管性能提升开辟了新途径。
研究透视：负电容技术-可兼得低漏电/高导通-铁电材料 | Science
查看文献： Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors
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