缺陷功能化新突破：调控氮空位加速电子冷却，破解紫外LED注入效率瓶颈

本文介绍了中国科学院长春光学精密机械与物理研究所石芝铭、黎大兵团队联合宁波东方理工大学魏苏淮教授团队在宽禁带氮化物载流子动力学研究方面的重要进展。背景方面，AlGaN基紫外LED作为新一代节能环保紫外光源，在多个领域具有重要应用，但其效率瓶颈在于电子与空穴冷却速率的不对称性。研究目的是通过调控GaN/AlN量子阱界面的氮空位缺陷，实现对电子冷却速率的有效增强。结论表明，该策略可使电子冷却时间缩短超过一个数量级，有效实现与空穴冷却速率的动态平衡，大幅提升发光效率。该研究为新一代电子与光电子器件的缺陷工程设计提供了理论支撑和新思路。