北京大学刘开辉教授团队：面向集成电子学的二维InSe晶圆 | Science

研究背景：随着人工智能与物联网技术的快速发展，硅基晶体管技术在亚10-nm节点正逼近其本征物理极限，亟需能突破硅材料限制的新型半导体沟道材料。二维原子级薄层半导体InSe因其理论优势成为超越硅极限的潜力材料。研究目的：为了解决高质量InSe薄膜生长面临的核心挑战，北京大学刘开辉教授团队开发了一种固-液-固生长策略，旨在实现晶圆级高质量InSe薄膜的制备。结论：该团队成功制备出高结晶质量、纯相结构的晶圆级InSe薄膜，基于该晶圆制备的晶体管阵列表现出卓越的电学性能，包括高迁移率和接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅，为下一代计算与通信技术提供了更灵活、低功耗、高性能的解决方案。