硕士生一作！华南师大霍能杰Nature子刊 | 亚1纳米等效氧化层厚度的层状三氧化钼（MoO₃）介电材料的可控生长！

本文介绍了华南师范大学霍能杰研究员团队在二维电子器件领域的重要突破，通过物理气相沉积（PVD）法实现了具有亚1纳米等效氧化层厚度（EOT）的层状三氧化钼（MoO₃）介电材料的可控生长。该材料具有高介电常数（超过40）和超薄EOT（低至0.9纳米），解决了传统高κ介电质在二维沟道界面易损伤和介电常数不足的问题。基于MoO₃栅介质的二硫化钼（MoS₂）晶体管表现出优异的电学性能，包括高开关比、低亚阈值摆幅和低漏电流。此外，通过垂直堆叠n型MoS₂和p型WSe₂晶体管，成功制备出互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器，展示了其在数字逻辑电路中的应用潜力。该研究为高性能、微型化、低功耗二维电子器件的发展提供了关键材料基础。