突破性进展：超宽带氮化硼光子忆阻器，赋能下一代人工智能！

本文介绍了一项发表在《自然·纳米技术》上的突破性研究，由沙特阿卜杜拉国网科技大学团队开发的基于晶圆级六方氮化硼（hBN）/硅（Si）异质结的光子忆阻器阵列。该研究解决了现有光子忆阻器光谱响应范围窄、工作模式单一的问题，实现了从紫外到近红外的超宽光谱范围光电重构能力，并能在非阻变、易失性和非易失性模式之间灵活切换。该器件表现出优异的性能，包括高开关比、长数据保持时间、卓越的循环耐久性和优异的热稳定性。研究团队揭示了光致重构性的机制，并展示了该器件在人工视觉系统和神经形态计算中的巨大潜力。未来的工作将聚焦于降低操作电压和提升器件在大面积集成中的均匀性，以推动工业规模化应用。