RMR | 面向嵌入式存储器应用的高热稳定性硫系相变材料

背景：嵌入式相变存储器（ePCM）需在高热预算环境下保持可靠性能，硫系相变材料的热稳定性成为关键挑战。研究目的：通过掺杂改性（如碳/氮掺杂、富锗优化及钛/硅掺杂Sb2Te3）提升材料热稳定性，优化晶化温度、数据保持能力和操作速度。结论：碳掺杂GST形成三维限域结构，使十年数据保持温度达185℃；钛掺杂Sb2Te3实现6纳秒超快相变；富锗GST通过抑制晶化提升汽车级可靠性，推动ePCM在高温应用中的产业化。