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西工大黄维院士团队黄佛保课题组与三峡大学胡功伟课题组Nano Energy：对称性破缺驱动压电电子学新效应

材料人 2025-09-12 11:30

文章摘要

背景：压电电子效应作为高性能传感器的关键机制，长期局限于非中心对称压电材料，而技术成熟的中心对称半导体如硅因缺乏压电性被排除在外。研究目的：突破传统限制，通过在中心对称半导体硅中实现对称性破缺，开发新型压电电子学效应。结论：团队在重掺杂硅基pn隧道结中利用强内建电场打破对称性，成功诱导出可电控压电效应，应变灵敏度高达753，远超传统传感器，为压电电子学材料体系拓展提供了新途径。

西工大黄维院士团队黄佛保课题组与三峡大学胡功伟课题组Nano Energy：对称性破缺驱动压电电子学新效应

查看文献： Piezotronic effect driven by symmetry breaking in centrosymmetric semiconductors
查看期刊：Nano Energy

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