中国地质大学《ACS AEM》：高硼掺杂多层多孔碳材料，用于高性能超级电容器

本文研究背景为硼掺杂多孔碳作为超级电容器电极材料的应用存在掺杂水平不足及孔结构不理想的问题。研究目的在于通过一步分子模板法合成高硼掺杂分级多孔碳材料，以提升超级电容器性能。研究采用硼酸根阴离子与葡萄糖羟基的缩合反应，成功制备出硼掺杂浓度达4.99原子%的BGC-5材料，该材料具有分级微介孔结构，在0.5 A g–1电流密度下比电容达330 F g–1，且在20 A g–1高电流密度下仍保持79.4%的电容保持率，表明其具有优异的倍率性能和导电性。结论表明该合成策略为高性能硼掺杂碳材料在先进储能领域的应用提供了可行路径，且制备过程温和、成本低，具有良好可扩展性。