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西安交通大学,Nature Materials!
纳米人
2025-10-04 21:52
文章摘要
本文针对人工智能和物联网应用中数据存储处理需求,提出基于非晶相变材料的神经形态计算解决方案。研究背景指出传统非晶相变材料存在结构弛豫导致的电阻漂移问题,尤其在极端温度下性能不稳定。研究目的是通过第一性原理计算设计出由稳定"分子状"基元组成的CrTe3非晶相变材料,该材料在-200°C至165°C宽温范围内几乎无电阻漂移。研究结论表明CrTe3具备优异的多级编码能力和循环稳定性,通过车辆路径追踪实验验证了其实际应用潜力,为高精度内存计算提供了新型材料解决方案。
查看文献:
Amorphous phase-change memory alloy with no resistance drift.
查看期刊:
Nature Materials
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