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香港理工大学杨明教授课题组 ACS Nano：高通量计算筛选基于无机分子晶体的高κ介电材料

材料人 2025-10-05 10:06
文章摘要
本文针对二维半导体材料与高κ介电材料集成困难的挑战，通过高通量计算从Materials Project数据库筛选出6种高性能无机分子晶体介电材料。研究背景指出二维半导体是理想沟道材料但面临介电集成难题，而无机分子晶体因其分子自饱和性和范德华特性成为解决方案。研究目的旨在开发更多高性能候选材料以推动二维电子器件发展。结论证实筛选出的6种材料与9种二维半导体形成优异界面特性，包括大带边偏移、高缺陷容忍度和低漏电流，其等效氧化物厚度可达亚纳米尺度，为二维电子器件性能突破提供可靠材料选择。
香港理工大学杨明教授课题组 ACS Nano：高通量计算筛选基于无机分子晶体的高κ介电材料
查看文献： High-Throughput Computational Design of Inorganic Molecular Crystal-Based High-κ Dielectrics for Two-Dimensional Electronics
查看期刊：ACS Nano
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