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外延生长，Nature！

研之成理 2025-10-05 15:40

文章摘要

本文研究背景聚焦于远程外延技术，该技术利用二维材料作为缓冲层实现薄膜外延生长，突破晶格匹配限制。研究目的是探究在2-7纳米厚非晶碳缓冲层条件下实现长程远程外延的机制，通过CsPbBr3/NaCl、KCl/KCl和ZnO/GaN等实验体系验证缺陷介导的远程相互作用。研究结论表明，衬底位错能产生长程静电相互作用，引导外延生长，在7纳米间距下仍能建立外延关系，为半导体材料加工提供了新调控手段。

外延生长，Nature！

查看文献： Long-distance remote epitaxy
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