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(纯计算)新加坡国立大学ACS Nano: 二维过渡金属硫族化合物中量子缺陷的太赫兹技术

计算材料学 2025-10-15 13:21
文章摘要
背景：二维过渡金属硫族化合物中的点缺陷可在带隙内引入类原子电子态，具有光学可寻址自旋的缺陷可作为量子比特。研究目的：通过第一性原理计算筛选25种过渡金属元素取代MoS2/WSe2的量子缺陷候选体系，探索其在太赫兹量子技术中的应用潜力。结论：研究发现这些体系存在太赫兹频段的自旋三重态和零场分裂缺陷，可耦合近红外辐射实现高保真量子比特操作，并可能实现单光子太赫兹发射器，为下一代太赫兹量子技术开辟了新途径。
(纯计算)新加坡国立大学ACS Nano: 二维过渡金属硫族化合物中量子缺陷的太赫兹技术
查看文献： Quantum Defects in 2D Transition Metal Dichalcogenides for Terahertz Technologies
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