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Science Advances:全非晶氧化物CMOS集成电路

研之成理 2025-11-09 08:03
文章摘要
本研究针对氧化物半导体领域p型半导体性能不足的瓶颈问题,提出了一种创新的硫介导氧化还原策略。背景显示,n型氧化物半导体已成功应用,但p型氧化物因价带局域化和制备温度高而发展受限。研究目的在于通过低温工艺实现高性能p型碲氧化物薄膜晶体管。结论表明,该方法在120°C下制备的p沟道TFT空穴迁移率超10 cm²/Vs,开关比超10⁶,并成功构建了柔性全氧化物CMOS集成电路,包括反相器、环形振荡器及大规模功能电路,电压增益达1694,振荡频率339 kHz,弯曲测试后性能衰减小于1%,证明了该技术在高性能、低成本柔性电子中的广泛应用潜力。
Science Advances:全非晶氧化物CMOS集成电路
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