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研究进展:六方氮化硼hBN-自旋缺陷 | Nature Physics

今日新材料 2025-11-21 11:30
文章摘要
本研究聚焦六方氮化硼中自旋缺陷的微观结构与自旋响应机制。背景方面,六方氮化硼中的自旋缺陷发射体在量子传感等领域具有应用潜力,但长期面临微观结构识别困难的问题。研究目的旨在通过建立光学可寻址自旋对模型,阐明该类缺陷的自旋响应物理来源。研究团队提出由两个相邻碳取代点缺陷构成的光学-自旋缺陷对模型,其中一个缺陷具有光学活性,另一个参与自旋选择性电荷转移。结论表明,该模型成功解释了宽波长范围内的光探测磁共振行为,并通过第一性原理计算验证了碳缺陷对的可行性,同时预测该机制在其它宽带隙半导体中具有普适性。
研究进展:六方氮化硼hBN-自旋缺陷 | Nature Physics
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