北京科技大学,Science!
研之成理
2025-11-24 16:32
文章摘要
背景:二维过渡金属硫族化合物(TMDs)材料因表面无悬挂键特性,难以实现与金属电极的强键合接触,制约其在集成电路中的应用。研究目的:北京科技大学张跃院士团队提出原子层键合(ALB)技术,通过精准剪裁二硫化钼表面硫原子层并直接沉积金属,构建稳定接触界面。结论:该技术实现70Ωμm的超低接触电阻和400℃热稳定性,突破二维半导体工业化瓶颈,为未来芯片制造提供可行方案。
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