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(纯计算)北京航空航天大学孙志梅/缪奶华团队J. Am. Chem. Soc.: 接近量子极限的二维半导体晶体管中的超低接触电阻

计算材料学 2025-11-27 11:57
文章摘要
背景：随着硅基集成电路小型化逼近物理极限，原子级厚度的二维材料展现出突破潜力，但金属-半导体结界面处的范德华间隙导致高接触电阻成为关键挑战。研究目的：北京航空航天大学团队通过高通量计算与机器学习技术，开发降低二维半导体晶体管接触电阻的有效策略，重点研究氢键界面调控机制。结论：研究发现含-OH官能团的界面可通过氢键增强层间耦合，形成欧姆接触使电阻值逼近量子极限，并建立了接触电阻与肖特基势垒高度的物理模型，为新一代晶体管设计提供理论依据。
(纯计算)北京航空航天大学孙志梅/缪奶华团队J. Am. Chem. Soc.: 接近量子极限的二维半导体晶体管中的超低接触电阻
查看文献： Ultralow Contact Resistance in Two-Dimensional Semiconductor Transistors Approaching the Quantum Limit
查看期刊：Journal of the American Chemical Society
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