二阶石墨插层超导体NaC8

本文聚焦于新型二阶石墨插层超导体NaC8的研究。背景方面，石墨插层化合物作为碳基超导材料的重要分支，长期以来超导转变温度普遍低于5K，仅CaC6在2005年达到11.5K的纪录。研究目的旨在通过高压技术探索高阶石墨插层化合物的超导性能。实验采用金刚石对顶砧技术，在8.7-25.7 GPa压力范围内成功合成NaC8，观察到28.1K的超导转变温度，创下石墨插层化合物超导新纪录。结论表明：结构分析确认NaC8为AA堆叠的二阶结构，钠原子层间距缩短至2.12Å增强了电子-声子耦合；能带计算显示双层石墨烯区域存在特殊π-π轨道相互作用；该发现不仅证明了高阶石墨插层化合物的高温超导潜力，还为探索新型多阶超导体开辟了新方向。